目前，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料得到了极大地关注，它们在较大功率、高温、高压应用领域所发挥的作用也不是传统的硅器件所能比较的。尤其是伴随着新能源、5G等新兴高科技领域对高性能半导体材料的要求日益严格，第三代半导体材料注定会进一步大放异彩。

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作为半导体材料的常用加工设备，想必在这种新型材料氧化镓的超微粉碎上一定也可以取得较好的效果。氧化镓在半导体领域的应用并不是一项崭新的技术，在很多年前就有人对其展开了大量的研究，但这种材料原本不是用于功率元件的，最初是计划用于LED（发光二极管）基板等而进行研发的。

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对物料的超微粉碎，可以提高物料的附加值以及扩大产品的应用范围。但是这些用途的研发与应用规模较小，它的一些“特异功能”似乎有些超前，并无用武之地，再加上它的技术难度高以及散热方面问题突出，在当时看来显然不如开发碳化硅、氮化镓等*具有性价比。

而随着应用需求的发展愈加明朗，未来对高功率器件的性能要求越来越高，尤其是对超宽禁带半导体材料的迫切需求，这使得人们*深切地看到了氧化镓的优势和前景，相应的研发工作又多了起来，已成为美国、日本、德国等国家的研究热点和竞争重点。

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